스마트폰, 인공지능(AI) 메인 칩으로 들어가는 전기의 전압을 일정하게 잡아주고, 잡음을 걸러내는 초소형 반도체가 개발됐다.
UNIST는 윤희인 전기전자공학과 교수팀이 초소형 하이브리드 전력관리 반도체 (LDO)를 개발했다고 29일 밝혔다.
LDO는 메인 반도체로 공급되는 전원을 관리하는 반도체다. 스마트폰 게임 앱을 갑자기 켜거나 끄면 전류 사용이 급격히 변하면서 전압도 들쭉날쭉해지는데, 이러한 전압 출렁임을 잡아내고 직류 전압에 섞여 들어온 교류 성분의 잡음까지 걸러내는 역할을 한다.
개발된 LDO는 아날로그 회로 기반에 디지털 회로의 장점을 조합한 하이브리드 구조로, 디지털 회로의 우수한 전압 안정화 성능과 아날로그 회로의 잡음 억제 성능을 모두 갖췄다.
실제 이 LDO는 99mA(밀리암페어)의 전류 변화가 있었을 때도 출력 전압의 출렁임을 54mV(밀리볼트) 수준으로 억제했고, 667나노초 만에 전압을 원래대로 복귀시켰다.
잡음 억제 성능(PSRR)도 –53.7dB(100mA 부하, 10kHz 기준)를 기록했다. 10kHz 주파수의 잡음이 섞여 들어왔다고 할 때, 99.8%를 걸러낼 수 있다는 의미다.
또 커패시터를 없애 기존 하이브리드 구조 대비 크기를 줄였다. 28나노미터 CMOS 공정으로 제작했을 때 크기는 0.032mm²에 불과하다. 크기를 줄이면 칩에서 더 많은 LDO를 넣을 수 있어, 시스템 온 칩(SoC)과 같이 여러 기능 블록이 집적된 고성능 칩을 만드는데 더 적합하다.
안창민 UNIST 연구원은 “일반적인 하이브리드 구조는 디지털에서 아날로그로의 전환이 매끄럽지 않아 완충 장치 역할을 하는 커패시터가 회로 구조에 들어가는데, 끊김 없는 디지털-아날로그 전환(D2A-TF)’과 ‘LGG(Local Ground Generator)’라는 새로운 회로 설계 방식으로 이를 해결했다”고 설명했다.
윤희인 교수팀은 “대기 전류와 전압 안정화 속도, 잡음억제 능력을 종합적으로 평가하는 성능 지표(FoM)에서 0.029ps라는 세계 최고 수준을 기록했다”고 전했다.
연구 결과는 IEEE 반도체 회로 공학회에서 발행하는 회로설계 분야 저명 학술지인 ‘저널 오브 솔리드 스테이트 서킷(Journal of Solid-State Circuits)’에 지난 3일 게재됐다.